casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858CW-7-F
codice articolo del costruttore | BC858CW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC858CW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858CW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858CW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858CW-7-F-FT |
FMMTA64TA
Diodes Incorporated
FMMTA64TC
Diodes Incorporated
FMMTA92TC
Diodes Incorporated
FMMTL618TC
Diodes Incorporated
FMMTL619TC
Diodes Incorporated
FMMTL717TC
Diodes Incorporated
FMMTL718TC
Diodes Incorporated
FMMTL720TA
Diodes Incorporated
FMMTL720TC
Diodes Incorporated
MMBT2222A-7
Diodes Incorporated
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation