casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC123JSATP
codice articolo del costruttore | DTC123JSATP |
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Numero di parte futuro | FT-DTC123JSATP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC123JSATP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SC-72 Formed Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SPT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JSATP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC123JSATP-FT |
DTC143EMT2L
Rohm Semiconductor
DTC143TMT2L
Rohm Semiconductor
DTC143XMFHAT2L
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DTA014EMT2L
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DTA014TMT2L
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DTA014YMT2L
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Rohm Semiconductor
DTA023YMT2L
Rohm Semiconductor
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel