casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA014TMT2L
codice articolo del costruttore | DTA014TMT2L |
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Numero di parte futuro | FT-DTA014TMT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA014TMT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA014TMT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA014TMT2L-FT |
RN1308,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2312(TE85L,F)
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RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel