casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC043TUBTL
codice articolo del costruttore | DTC043TUBTL |
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Numero di parte futuro | FT-DTC043TUBTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC043TUBTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC043TUBTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC043TUBTL-FT |
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XC7A35T-2CSG325I
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10CX150YF672E6G
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5SGSMD5H2F35I3LN
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5SGXMA3K3F35I3N
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5SGXMA4K3F35I3
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XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
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LFE2-20E-5F484C
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LCMXO2-4000HE-4BG256C
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EP2AGX260FF35I5G
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