casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA024EMT2L
codice articolo del costruttore | DTA024EMT2L |
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Numero di parte futuro | FT-DTA024EMT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA024EMT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA024EMT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA024EMT2L-FT |
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ATC144-1N
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5CGXFC4C6F27I7N
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EP3SE260F1517C2
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EP2AGX65DF25C6N
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5SGXMB5R3F43C2N
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5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation