casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN1312(TE85L,F)
- Numero parte MFG
- RN1312(TE85L,F)
- quantità disponibile
- 14740 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.03864
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RN1312(TE85L,F).pdf
RN1312(TE85L,F) specificazioni
| codice articolo del costruttore | RN1312(TE85L,F) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RN1312(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN1312(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | USM |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1312(TE85L,F) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RN1312(TE85L,F)-FT |
Come ordinare?
Richiesta di preventivo - Conferma prezzo - Ordine - Pagamento - Spedizione - FattoMetodi di spedizione
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcolo del trasporto: vi preghiamo di contattarci
Come contattare?
La nostra email: [email protected]Modalità di pagamento
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Componenti correlati nella categoria Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
Componenti di vendita caldi
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel