casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DST12100S
codice articolo del costruttore | DST12100S |
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Numero di parte futuro | FT-DST12100S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DST12100S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST12100S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DST12100S-FT |
BAS16GWJ
Nexperia USA Inc.
BAT54GWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3020EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG4005EGWX
Nexperia USA Inc.
BAS116GWX
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEGWX
Nexperia USA Inc.
BAS116GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWX
Nexperia USA Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel