casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16GWJ
codice articolo del costruttore | BAS16GWJ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS16GWJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS16GWJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16GWJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16GWJ-FT |
PMEG4020EPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4020EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6020EPAF
Nexperia USA Inc.
PMEG2020EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4020EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EPK,315
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel