casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16GWJ
codice articolo del costruttore | BAS16GWJ |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16GWJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS16GWJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16GWJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16GWJ-FT |
PMEG4020EPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4020EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020EPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6020EPAF
Nexperia USA Inc.
PMEG2020EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4020EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EPK,315
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.