casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS116GWJ
codice articolo del costruttore | BAS116GWJ |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116GWJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS116GWJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116GWJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116GWJ-FT |
PMEG2005EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG2015EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4005EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EPK,315
Nexperia USA Inc.
PMEG4015EPK,315
Nexperia USA Inc.
BAS16J,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEJ,115
Nexperia USA Inc.
BAT46WJ,115
Nexperia USA Inc.
BAS16J,135
Nexperia USA Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel