casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB15IM45IB
codice articolo del costruttore | DSB15IM45IB |
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Numero di parte futuro | FT-DSB15IM45IB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB15IM45IB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 590mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 (I2PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB15IM45IB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB15IM45IB-FT |
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel