casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG24DHE3_A/H
codice articolo del costruttore | BYG24DHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYG24DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24DHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24DHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG24DHE3_A/H-FT |
SD200SCU150A.T
SMC Diode Solutions
FR30J02
GeneSiC Semiconductor
UF27520070A1.T
SMC Diode Solutions
MBR3545
GeneSiC Semiconductor
1C5711.T
SMC Diode Solutions
1N6621US
Microsemi Corporation
EGP31A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel