casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS3070W-100#
codice articolo del costruttore | DS3070W-100# |
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Numero di parte futuro | FT-DS3070W-100# |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS3070W-100# Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-BGA (27x27) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS3070W-100# Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS3070W-100#-FT |
DS24L65P+T
Maxim Integrated
DS2502P-E48+T&R
Maxim Integrated
DS28E05P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+
Maxim Integrated
DS28E22P+
Maxim Integrated
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel