casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E07P+T
codice articolo del costruttore | DS28E07P+T |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E07P+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E07P+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (256 x 4) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E07P+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E07P+T-FT |
MT45W2MW16PABA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PABA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PAFA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PAFA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PAFA-85 WT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 WT
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel