casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E05P+T
codice articolo del costruttore | DS28E05P+T |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E05P+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E05P+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 896b (112 x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E05P+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E05P+T-FT |
MT45W1MW16PABA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W1MW16PABA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W1MW16PAFA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W1MW16PDGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W1MW16PDGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PABA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PABA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PAFA-70 IT
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel