casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230AB-150+
codice articolo del costruttore | DS1230AB-150+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230AB-150+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230AB-150+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-150+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230AB-150+-FT |
MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel