casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR0A08BSO35R
codice articolo del costruttore | MR0A08BSO35R |
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Numero di parte futuro | FT-MR0A08BSO35R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A08BSO35R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BSO35R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR0A08BSO35R-FT |
IDT71024S15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel