casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR256A08BSO35
codice articolo del costruttore | MR256A08BSO35 |
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Numero di parte futuro | FT-MR256A08BSO35 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR256A08BSO35 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR256A08BSO35 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR256A08BSO35-FT |
IDT71024S20TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel