casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRC2143Y0L
codice articolo del costruttore | DRC2143Y0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRC2143Y0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRC2143Y0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2143Y0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRC2143Y0L-FT |
FJV3113RMTF
ON Semiconductor
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3104RMTF
ON Semiconductor
FJV3102RMTF
ON Semiconductor
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR221E00L
Panasonic Electronic Components
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
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5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
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Intel