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codice articolo del costruttore | DRA73-331-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA73-331-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA73-331-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 330µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 391mA |
Corrente - Saturazione | 423mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.85 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA73-331-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA73-331-R-FT |
HC7-2R2-R
Eaton - Electronics Division
HC3-R50-R
Eaton - Electronics Division
HC2LP-6R0-R
Eaton - Electronics Division
HC2LP-4R7-R
Eaton - Electronics Division
HC2-2R2-R
Eaton - Electronics Division
HC2-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC2-1R0TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-4R7-R
Eaton - Electronics Division
HC2-4R7TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-6R0-R
Eaton - Electronics Division
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel