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Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13

Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13
Price: 0.4872 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (473 reviews)

Numero parte MFG: DMTH8012LPSQ-13

quantità disponibile: 94990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.4872

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMTH8012LPSQ-13.pdf

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DMTH8012LPSQ-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMTH8012LPSQ-13
Numero di parte futuro	FT-DMTH8012LPSQ-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMTH8012LPSQ-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 72A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2051pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.6W (Ta), 136W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH8012LPSQ-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMTH8012LPSQ-13-FT

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