casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF7N60YDTU
codice articolo del costruttore | FCPF7N60YDTU |
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Numero di parte futuro | FT-FCPF7N60YDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCPF7N60YDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF7N60YDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF7N60YDTU-FT |
FQI6N40CTU
ON Semiconductor
FQI6N50TU
ON Semiconductor
FQI6N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N10LTU
ON Semiconductor
FQI7N10TU
ON Semiconductor
FQI7P06TU
ON Semiconductor
FQI8N60CTU
ON Semiconductor
FQI8P10TU
ON Semiconductor
FQI9N08LTU
ON Semiconductor
FQI9N08TU
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel