casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMTH6016LFVW-13
codice articolo del costruttore | DMTH6016LFVW-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMTH6016LFVW-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6016LFVW-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6016LFVW-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMTH6016LFVW-13-FT |
IXFH26N100X
IXYS
IXFH32N100X
IXYS
IXFH60N65X2-4
IXYS
IXFH76N15T2
IXYS
IXFH7N100P
IXYS
IXFH80N65X2-4
IXYS
IXFK32N100X
IXYS
IXFK52N100X
IXYS
IXFN52N100X
IXYS
IXFN70N100X
IXYS
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel