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IXYS IXFH7N100P

Name: IXFH7N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFH7N100P
Price: 5.133336 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (631 reviews)

Numero parte MFG: IXFH7N100P

quantità disponibile: 96930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.133336

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFH7N100P.pdf

IXFH7N100P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFH7N100P
Numero di parte futuro	FT-IXFH7N100P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, Polar™
IXFH7N100P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2590pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH7N100P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFH7N100P-FT

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