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IXYS IXFH80N65X2-4

Name: IXFH80N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH80N65X2-4
Price: 8.1344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (613 reviews)

Numero parte MFG: IXFH80N65X2-4

quantità disponibile: 83870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.1344

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFH80N65X2-4.pdf

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IXFH80N65X2-4 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFH80N65X2-4
Numero di parte futuro	FT-IXFH80N65X2-4
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFH80N65X2-4 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8300pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	890W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-4L
Pacchetto / caso	TO-247-4
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH80N65X2-4 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFH80N65X2-4-FT

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