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Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13

Name: DMT69M8LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT69M8LPS-13
Availability: InStock
Rating: 4.5 (295 reviews)

Numero parte MFG: DMT69M8LPS-13

quantità disponibile: 93770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMT69M8LPS-13.pdf

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DMT69M8LPS-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMT69M8LPS-13
Numero di parte futuro	FT-DMT69M8LPS-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMT69M8LPS-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.2A (Ta), 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 113W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT69M8LPS-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMT69M8LPS-13-FT

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