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Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13

Numero parte MFG
DMT69M8LPS-13
quantità disponibile
93770 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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DMT69M8LPS-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMT69M8LPS-13
Numero di parte futuro FT-DMT69M8LPS-13
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
DMT69M8LPS-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.2A (Ta), 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 113W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT69M8LPS-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMT69M8LPS-13-FT

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