casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMT6012LPS-13
codice articolo del costruttore | DMT6012LPS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT6012LPS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
DMT6012LPS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6012LPS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT6012LPS-13-FT |
BSP296NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320SH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP612PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP615S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSS119NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS123/LF1R
Nexperia USA Inc.
BSS123LT7G
ON Semiconductor
BSS138-T
ON Semiconductor
BSS138AKA/LF1R
Nexperia USA Inc.
BSS138BKW-BX
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel