casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP320SH6433XTMA1
codice articolo del costruttore | BSP320SH6433XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP320SH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP320SH6433XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 7V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP320SH6433XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP320SH6433XTMA1-FT |
APT80SM120S
Microsemi Corporation
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
APTC80DA15T1G
Microsemi Corporation
APTC80SK15T1G
Microsemi Corporation
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60T1G
Microsemi Corporation
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation