casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS123/LF1R
codice articolo del costruttore | BSS123/LF1R |
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Numero di parte futuro | FT-BSS123/LF1R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BSS123/LF1R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 120mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123/LF1R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS123/LF1R-FT |
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
APTC80DA15T1G
Microsemi Corporation
APTC80SK15T1G
Microsemi Corporation
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60T1G
Microsemi Corporation
APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation
APTM100DA18T1G
Microsemi Corporation
APTM100DA40T1G
Microsemi Corporation
APTM100SK18TG
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel