casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMT2005UDV-7
codice articolo del costruttore | DMT2005UDV-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT2005UDV-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT2005UDV-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.7nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 10V |
Potenza - Max | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT2005UDV-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT2005UDV-7-FT |
APTM50HM65FTG
Microsemi Corporation
APTM50HM75FT3G
Microsemi Corporation
APTM50HM75FTG
Microsemi Corporation
APTM50HM75SCTG
Microsemi Corporation
APTM60A11FT1G
Microsemi Corporation
APTM60H23FT1G
Microsemi Corporation
APTMC120AM09CT3AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM12CT3AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM20CT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120HM17CT3AG
Microsemi Corporation
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel