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Microsemi Corporation APTMC120AM20CT1AG
- Numero parte MFG
- APTMC120AM20CT1AG
- quantità disponibile
- 45020 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 365.648
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APTMC120AM20CT1AG.pdf
APTMC120AM20CT1AG specificazioni
| codice articolo del costruttore | APTMC120AM20CT1AG |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APTMC120AM20CT1AG |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| APTMC120AM20CT1AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 143A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5960pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 600W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTMC120AM20CT1AG Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APTMC120AM20CT1AG-FT |
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