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Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG
- Numero parte MFG
- APTMC120HM17CT3AG
- quantità disponibile
- 33230 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 717.08448
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- - POWER MODULE - SIC MOSFET
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APTMC120HM17CT3AG.pdf
APTMC120HM17CT3AG specificazioni
| codice articolo del costruttore | APTMC120HM17CT3AG |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APTMC120HM17CT3AG |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| APTMC120HM17CT3AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 750W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTMC120HM17CT3AG Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APTMC120HM17CT3AG-FT |
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