casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMNH6011LK3-13
codice articolo del costruttore | DMNH6011LK3-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMNH6011LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMNH6011LK3-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3077pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMNH6011LK3-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMNH6011LK3-13-FT |
MMIX1T600N04T2
IXYS
MSC140SMA120B
Microsemi Corporation
2SK3711
Sanken
2SK3801
Sanken
DMN6069SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN6069SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
DMN62D1LFDQ-7
Diodes Incorporated
DMN7022LFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN7022LFGQ-7
Diodes Incorporated
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel