casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN62D1LFDQ-7
codice articolo del costruttore | DMN62D1LFDQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN62D1LFDQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN62D1LFDQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.55nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN1212-3 |
Pacchetto / caso | 3-UDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN62D1LFDQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN62D1LFDQ-7-FT |
SCT3120ALHRC11
Rohm Semiconductor
SCT3160KLHRC11
Rohm Semiconductor
DMN1004UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN1014UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN1014UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2015UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN2015UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1022UWS-13
Diodes Incorporated
DMP1022UWS-7
Diodes Incorporated
DMP6185SEQ-13
Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel