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Diodes Incorporated DMN7022LFGQ-7

Name: DMN7022LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN7022LFGQ-7
Price: 0.402008 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (350 reviews)

Numero parte MFG: DMN7022LFGQ-7

quantità disponibile: 82250 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.402008

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN7022LFGQ-7.pdf

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DMN7022LFGQ-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN7022LFGQ-7
Numero di parte futuro	FT-DMN7022LFGQ-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN7022LFGQ-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2737pF @ 35V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN7022LFGQ-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN7022LFGQ-7-FT

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