casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN1014UFDF-13
Diodes Incorporated DMN1014UFDF-13
- Numero parte MFG
- DMN1014UFDF-13
- quantità disponibile
- 10900 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.086104
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DMN1014UFDF-13.pdf
DMN1014UFDF-13 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DMN1014UFDF-13 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMN1014UFDF-13 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMN1014UFDF-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN1014UFDF-13 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMN1014UFDF-13-FT |
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