casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN1014UFDF-13
codice articolo del costruttore | DMN1014UFDF-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN1014UFDF-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN1014UFDF-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1014UFDF-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN1014UFDF-13-FT |
APTM120UM70FAG
Microsemi Corporation
APTM20DAM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM08TG
Microsemi Corporation
APTM20SKM08TG
Microsemi Corporation
APTM20UM04SAG
Microsemi Corporation
APTM50DAM17G
Microsemi Corporation
APTM50DAM19G
Microsemi Corporation
APTM50SKM17G
Microsemi Corporation
APTM50SKM19G
Microsemi Corporation
APTM50UM13SAG
Microsemi Corporation
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel