casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN63D8LW-7
codice articolo del costruttore | DMN63D8LW-7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMN63D8LW-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN63D8LW-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 380mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23.2pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN63D8LW-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN63D8LW-7-FT |
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3A02N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A05N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3B04N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A10N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F35N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F36N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F37N8TA
Diodes Incorporated
DMN1016UCB6-7
Diodes Incorporated
DMP1100UCB4-7
Diodes Incorporated
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel