casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN1016UCB6-7
codice articolo del costruttore | DMN1016UCB6-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN1016UCB6-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN1016UCB6-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 920mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-WLB1510-6 |
Pacchetto / caso | 6-UFBGA, WLBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1016UCB6-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN1016UCB6-7-FT |
IPB60R120C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
DMG4466SSS-13
Diodes Incorporated
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
ZXMN3B04N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3A16N8TA
Diodes Incorporated
DMP4025LSSQ-13
Diodes Incorporated
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel