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Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7

Numero parte MFG
DMN1016UCB6-7
quantità disponibile
53160 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.21336
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN1016UCB6-7 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN1016UCB6-7
Numero di parte futuro FT-DMN1016UCB6-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN1016UCB6-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 423pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 920mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-WLB1510-6
Pacchetto / caso 6-UFBGA, WLBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1016UCB6-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN1016UCB6-7-FT

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