casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN62D0UT-7
codice articolo del costruttore | DMN62D0UT-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN62D0UT-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
DMN62D0UT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Caratteristica FET | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN62D0UT-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN62D0UT-7-FT |
DMN1033UCB4-7
Diodes Incorporated
DMN1002UCA6-7
Diodes Incorporated
DMN2005DLP4K-7
Diodes Incorporated
DMN1150UFL3-7
Diodes Incorporated
DMC3730UFL3-7
Diodes Incorporated
DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
DMG8601UFG-7
Diodes Incorporated
DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
DMC3021LK4-13
Diodes Incorporated
DMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
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A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
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5SGSMD3E2H29I3L
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EP2AGX125DF25I5N
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5SGXMA9N2F45C2N
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XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
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