casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG8601UFG-7
codice articolo del costruttore | DMG8601UFG-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG8601UFG-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG8601UFG-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Potenza - Max | 920mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerUDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN3030-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG8601UFG-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG8601UFG-7-FT |
DMP3056LSD-13
Diodes Incorporated
DMP3056LSDQ-13
Diodes Incorporated
DMPH6050SSDQ-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A08DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMC3A17DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A04DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3A04DN8TA
Diodes Incorporated
LCMXO2280E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
Intel
EPF10K100ABC356-2
Intel