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Diodes Incorporated DMN2016LFG-7

Numero parte MFG
DMN2016LFG-7
quantità disponibile
39790 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.2158
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN2016LFG-7 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN2016LFG-7
Numero di parte futuro FT-DMN2016LFG-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN2016LFG-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V
Potenza - Max 770mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerUDFN
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN3030-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2016LFG-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN2016LFG-7-FT

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