casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN55D0UT-7
codice articolo del costruttore | DMN55D0UT-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN55D0UT-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN55D0UT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN55D0UT-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN55D0UT-7-FT |
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