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Infineon Technologies IRFL024NPBF

Numero parte MFG
IRFL024NPBF
quantità disponibile
13210 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IRFL024NPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFL024NPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFL024NPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFL024NPBF-FT

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