codice articolo del costruttore | IRFL110 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFL110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFL110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFL110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFL110-FT |
ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
DMG6402LDM-7
Diodes Incorporated
DMN3115UDM-7
Diodes Incorporated
DMN3051LDM-7
Diodes Incorporated
DMP2066LDM-7
Diodes Incorporated
DMP2130LDM-7
Diodes Incorporated
DMP2066LDMQ-7
Diodes Incorporated
ZXMP4A57E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08E6QTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17E6QTA
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel