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IXYS MMIX1F160N30T

Numero parte MFG
MMIX1F160N30T
quantità disponibile
29840 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 25.9444
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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MMIX1F160N30T specificazioni

codice articolo del costruttore MMIX1F160N30T
Numero di parte futuro FT-MMIX1F160N30T
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F160N30T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 570W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 24-SMPD
Pacchetto / caso 24-PowerSMD, 21 Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F160N30T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MMIX1F160N30T-FT

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