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IXYS MMIX1F180N25T

Name: MMIX1F180N25T
Brand: IXYS
SKU: MMIX1F180N25T
Price: 25.9444 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (545 reviews)

Numero parte MFG: MMIX1F180N25T

quantità disponibile: 13040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 25.9444

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MMIX1F180N25T.pdf

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MMIX1F180N25T specificazioni

codice articolo del costruttore	MMIX1F180N25T
Numero di parte futuro	FT-MMIX1F180N25T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F180N25T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	132A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	364nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	23800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	570W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	24-SMPD
Pacchetto / caso	24-PowerSMD, 21 Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F180N25T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MMIX1F180N25T-FT

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