casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3025LFDF-7
codice articolo del costruttore | DMN3025LFDF-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3025LFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3025LFDF-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 641pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type F) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3025LFDF-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3025LFDF-7-FT |
DMN66D0LW-7
Diodes Incorporated
DMN67D8LW-13
Diodes Incorporated
BSS123W-7-F
Diodes Incorporated
DMN62D0UW-13
Diodes Incorporated
DMN3150LW-7
Diodes Incorporated
DMN63D8LW-7
Diodes Incorporated
DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated
DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated
DMN3067LW-7
Diodes Incorporated
DMN3067LW-13
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel