casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN62D0UW-13
codice articolo del costruttore | DMN62D0UW-13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMN62D0UW-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN62D0UW-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 340mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 320mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN62D0UW-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN62D0UW-13-FT |
ZXM66P03N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A05N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3A02N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A05N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3B04N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A10N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F35N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F36N8TA
Diodes Incorporated
ZXMP3F37N8TA
Diodes Incorporated
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel