casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN24H3D5L-13
codice articolo del costruttore | DMN24H3D5L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN24H3D5L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN24H3D5L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 480mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 188pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 760mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN24H3D5L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN24H3D5L-13-FT |
BSN20-7
Diodes Incorporated
DMN60H080DS-7
Diodes Incorporated
DMP3098L-7
Diodes Incorporated
ZXMN3B14FTA
Diodes Incorporated
BSS123TA
Diodes Incorporated
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
DMN62D0U-13
Diodes Incorporated
ZXMN2A01FTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A07FTA
Diodes Incorporated
DMG2301L-7
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel