casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN6140L-7
codice articolo del costruttore | DMN6140L-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN6140L-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN6140L-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6140L-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN6140L-7-FT |
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LT-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LT-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LT-7
Diodes Incorporated
DMN55D0UTQ-7
Diodes Incorporated
DMP2004TK-7
Diodes Incorporated
DMG1013T-7
Diodes Incorporated
DMN26D0UT-7
Diodes Incorporated
DMN313DLT-7
Diodes Incorporated
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel