codice articolo del costruttore | BSN20-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BSN20-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSN20-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 220mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSN20-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSN20-7-FT |
DMP21D0UT-7
Diodes Incorporated
CMUDM7004 TR
Central Semiconductor Corp
CMUDM8001 TR
Central Semiconductor Corp
CMUDM8004 TR
Central Semiconductor Corp
CMUDM8005 TR
Central Semiconductor Corp
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LT-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LT-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LT-7
Diodes Incorporated
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation